砷化镓铟微光显微镜 (InGaAs)

砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。差别在于InGaAs可侦测的波长较长，范围约在900nm到1600nm之间，等同于红外线的波长区 (EMMI则是在350nm-1100nm)。

iST 宜特服务优势

宜特建置Double side Probe station，可节省样品备制的时间与成本。

InGaAs与EMMI的应用雷同，但比 EMMI多了以下优点

• 侦测 缺点(Defect)时间比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。

• 可侦测到微小电流及先进制程的缺点(Defect)。

• 可侦测到较轻微的 Metal Bridge。

• 针对 芯片 背面(Back-side)的定位分析，红外光对硅基板穿透率较高。

侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况

1. 会产生亮点、热点(Hot Spot)的缺点

• 接面漏电(Junction Leakage)

• Contact Spiking

• 热电子效应(Hot Electrons)

• 闩锁效应(Latch-Up)

• 闸极氧化层缺点或漏电(Gate Oxide Defects / Leakage -F-N current)

• 多晶硅的细丝残留 (Poly-silicon Filaments)

• 硅基底损伤( Substrate Damage)

• 机械性损伤(Mechanical Damage)

• 及接面崩溃( Junction Avalanche)等

2. 原来就会有的亮点、热点(Hot Spot)

• 饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)

• 动态式CMOS (Dynamic CMOS)

• 二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)

侦测不到亮点、热点(Hot Spot)情况

1. 不会出现亮点的故障

• 奥姆或金属的短路(Ohmic Short及Metal Short)

2. 亮点被遮蔽之情况

• 埋入式接面的漏电区(Buried Junctions)

• 金属线底下的漏电区(Leakage Sites Under Metal)

InGaAs因镜头旋转角度限制，相当多架4只针座(4支探针)于平台上，产品高度需低于10 cm，需完全暗房操作，不可有发光组件，且不适用产品于加热状态下进行实验。

关于宜特：

iST始创于1994年的台湾，主要以提供集成电路行业可靠性验证、材料分析、失效分析、无线认证等技术服务。2002年进驻上海，全球现已有7座实验室14个服务据点，目前已然成为深具影响力之芯片验证第三方实验室。

 服务热线：8009880501   http://www.istgroup.com 

显微镜 (InGaAs)