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宜特检测Thermal EMMI分析

文章来源:www.istgroup.com 上传时间:2018-02-08浏览次数:
文章摘要:ThermalEMMI分析,ThermalEMMI,宜特检测ThermalEMMI(InSb)目前侦测IC失效点都以InGaAs、OBIRCH为主,但对于IC非破坏分析的失效点定位、低阻抗短路(<10ohm)和3D封装失效点

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Thermal EMMI (InSb)

目前侦测IC失效点都以InGaAs、OBIRCH为主,但对于IC非破坏分析的失效点定位、低阻抗短路(<10ohm)和3D封装失效点深度的预估分析,需另外寻求其他方法解决。  

宜特科技新增Thermal EMMI(InSb)机台,可以解决IC未开盖的失效点侦测及低阻抗短路(<10ohm)的问题分析。 

机台原理是利用InSb材质的侦测器,接收失效点通电后产生的热辐射分布,藉此定位失效点位置,甚至可以利用失效点热辐射传导的时间差,预估3D封装的故障点深度,也可以应用在侦测TFT LCD面板及PCB/PCBA的失效分析上。

宜特在 Thermal EMMI(InSb) 机台应用 

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iST实验室优势 

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关于宜特:

iST始创于1994年的台湾,主要以提供集成电路行业可靠性验证、失效分析、材料分析、无线认证等技术服务。2002年进驻上海,全球现已有7座实验室12个服务据点,目前已然成为深具影响力之芯片验证第三方实验室。

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