1、扩散面放反：
FF：50以内（30-40） Irve1:12（也有正常的） Ncell:2%左右
解释：扩散时下面和背面都成N型，但背面N型扩散的结浅，扩散面放反后，原下面的N型被Al掺杂为P型，原背面的浅结很容易被烧穿。
Uoc:0.58-0.60 Isc:3-4 Rs:10-20 Rsh:10以内
主要参数特征：Isc减小，Rsh<5,η=10
3、正面粘有铝浆
Ncell<1% FF:24-25
4、N型片或高度补偿
Ncell：2-3% FF:100-200
解释：N型片背面印刷铝浆后成为P+型，下面扩散后形成N+型，从而产生电流。
Uoc 0.60-0.61 Isc:4左右 Rs:20左右 Rsh:10-20
主要参数特征：Rs偏大, Isc偏小, Rsh偏小
6、方块电阻偏小
Ncell：1%左右 FF:24多一点 Irev1>12
Uoc 0.0002左右 Isc:0.03左右（正常偏低） Rs=0或为负 Rsh<10或为0
主要参数特征：电压和电流基本为0，串联电阻为0. 解释：没有P-N结。
Uoc 0.62左右 Isc:4.8左右 Rs=3-6 Rsh：60-90
主要参数特征：串联电阻偏大，短路电流偏小，并联电阻偏大
9、刻蚀未刻透
Ncell：1-2%左右 FF:30-40 Irev1>12
11、不明原因
Ncell：1左右 FF:30-40 Irev1>12
解释：应为严重烧穿。 特殊：Uoc,Isc,Rs,Rsh,η,FF,Irve1>12
13、周边未刻蚀。Rsh<1,Irev1>12
1、看电性能参数，然后对照G档片原因分析表，看一下是否以前曾出现过类似情况，不过G档片分析表只能做为参考，不应当作证据指证任何工序。
①背场是否有滚轮印（4条），判断是否为RENA刻蚀不透。
③观察是否有边缘漏浆的现象。
⑤观察是否有微晶现象（1厘米内的晶粒数多于10个）。
⑦观察是否有断栅的现象。
⑨观察是否有刻蚀线，若没有可以尝试打磨。
4、观察测试是否有异常，将G档片放入其他线进行测试。
6、片源是否为试验片，是否为板P，是否为返工片，是否前面有流程卡混乱的情况。
在做板式PECVD出来的硅片，将会有4个对边分布挂痕，在丝网印刷的第一台背极印刷，放片时，要尽可能将挂痕压在主栅线上，这样使PECVD尽可能不影响硅片的外观。
排查G档片原因和步骤
1、电性能上，放反和未扩散是没有差别的，均为无Uoc,Isc,Irev1>12，这里的无Uoc,Isc是指Uoc<o.1v,isc<1ma.< span="">
2、外观上，放反的电池片是在二次清洗完成以后至PE镀膜之前，由于特殊原因造成扩散面（N型）向下，非扩散面（P型）向上，在非扩散面镀膜，当测试时光线照在非扩散面时，根本没有电流产生，所以效率接近0.在外观上，放反的电池片扩散工艺正常，二次刻蚀也正常，所以在扩散面的边缘会有刻蚀痕迹出现，当扩散面放反时，这些刻蚀痕迹会出现在电池片的背面，但是背面我们会印刷上背电场，在背电场的边缘会有刻蚀痕迹。
3、P-N型。通过使用万用表测量电池片的P-N型，也可以断定为何种G档片，未扩散的电池片，正反面都没有PN结，即都不存在N型导电区域，所以在使用万用表测量其表面电阻时，它的值应在104Ω左右。而扩散面放反的电池片，其正面也是P型区域，表面电阻为104Ω左右，但背面应该存在N型区域，用万用表测量表面电阻时，就在10Ω左右。
高串联电阻片：
原因：一是烧结温度与正电极浆料不匹配；二是正电极浆料被污染；三是由于正电极印刷不良；四是方块电阻异常。
需要我们对前道工艺有所了解。（比如各个中心方阻控制在多少，是双面扩还是单面扩，大绒面和小绒面，酸制绒和碱制绒，干刻和湿刻都需要了解清楚）
如果烧结炉有问题，炉温波动较大（温度波动超过6℃）升高炉温或是降低炉温观察一下效果。
工艺员的处理原则：
问题为什么发生。
排查异常情况的原因时undefined常用的，undefined有说服力的方法就是对比实验：
烧结炉的精确对比（20片）
丝印整条线的精确对比（100-200片）
先看一下从其他线拿几片电池片在出现异常的生产线测试一下，排查一下测试
再看一下正电极是否刚加入浆料。
电性能/数据趋势分析
EL测试
PN型测试
